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得碳化矽者得天下，今日大家聊一聊碳碳複合材料（SiC）
文中試著將碳化矽技術性、商品和銷售市場。以便辨識度高些。最先，針對第三代半導體器件，主要是差別於一代、二代來講，但大部分全是四族原素（碳、矽、鍺）以及化學物質：
第一代半導體器件以矽（Si）、鍺(Ge)為意味著；第二代半導體器件以氮化镓（GaAs）、磷化銦（InP）為意味著；第三代半導體器件，現階段各種生產商躍躍欲試積極主動合理布局的，包含碳碳複合材料（SiC）、氮化镓（GaN）、活性氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、金鋼石（C）等。
zhaojh@kw.beijing.gov.cn這三代半導體材料，區劃規範主要是依照原材料性能參數高矮及產業發展難度係數水平，越重高世世代代，產業發展難度係數越高，原材料特性越出色，包含帶隙、導熱率、擊穿場強等。例如文中要講的碳碳複合材料（SiC），與第一代半導體器件矽（Si）對比，帶隙是矽的3倍、導熱率3倍、穿透靜電場9倍、飽和狀態飄移速率2.7倍。
大家都了解，半導體材料的實質便是“開-關”特點，體現到數據行業便是“0-1”，組成了全部數據全球的基本。第一代半導體材料這般，第三代半導體材料都不列外，要不以便完成數據測算的01，要不以便完成物理學全球的電源開關。碳碳複合材料（SiC）的出色半導體材料特性，便是以便在獨特行業完成開-關特點，例如耐熱、髙壓，大電流量的高頻率功率大的的元器件，例如5G厘米波行業……
實際到碳化矽複合材料（SiC）原材料，因為分子的排序構造不一樣，能夠 產生一百多種千姿百態的分子結構，較為常見的如α晶體結構構造（2H、4H、6H、15R）和β晶體結構構造（3C-SiC）等。
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