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由於碳化矽陶瓷的各種優良性能,因此人們非常認可碳化矽陶瓷,所以對碳化矽陶瓷的開發和研製也是非常多的,下麵講幾種製備碳化矽陶瓷的方法。
(1)熱壓碳化矽陶瓷 雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化矽中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。
(2)常壓碳化矽陶瓷 常壓燒結碳化矽也命名為無壓燒結碳化矽,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化矽陶瓷。
(3)反應碳化矽陶瓷 反應燒結碳化矽又稱為自結合SIC。將碳化矽粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。
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